激光技术又为半导体激光器带来创新成果《资讯》

发布时间：2020-08-17 13:06:47 阅读：次来源：植酸厂家

2016-05-16 10:07:48来源：贤集网

据了解，近来我国在激光技术方面的研究不断深化，其激光技术的突破可谓臻臻日上，近期关于激光在大功率垂直腔面发射又取得了重大的成就，其代表了发光学及应用国家重点实验室领取了2015年度吉林省技术发明一等奖的证书。

据介绍，垂直腔面发射激光器是2002年开始逐渐发展起来的新一代半导体激光器，与常规边发射半导体激光器相比具有光束质量好，易于二维集成等优点，在激光通信、激光显示、工业加工、国防应用等领域有广泛的应用前景，成为国际前沿研究热点，本次取得关键技术突破，将会进一步推动相关技术发展。

发光室大功率半导体激光器及应用团队在国防基础科研、总装支撑、国家基金重点、吉林省科技厅重点等多个项目的支持，重点开展大功率、高光束质量垂直腔面发射激光(VCSEL)研制工作，从材料结构设计、器件结构设计等方面提出一系列创新，在高功率激光研究方面已获授权发明专利6项。

另外，其所研制的高光束质量大功率VCSEL在固体激光/光纤激光泵浦、光纤放大器泵浦、激光测距等领域得到了应用，并被国内多家用户用于固体泵浦、激光引信、生物荧光探测等领域。